晶片處理
濕法清洗
用丙酮、三氯乙烯和超純水等溶劑清洗
Piranha溶液
RCA清洗
表面鈍化
光刻技術
離子植入(將摻雜物嵌入晶圓中,形成導電性增加或減少的區域)
蝕刻(微細加工)
幹法蝕刻(等離子體蝕刻)
反應性離子蝕刻(RIE)
深度反應性離子蝕刻
原子層蝕刻(ALE)
濕法蝕刻
緩衝氧化物蝕刻
等離子灰化
熱處理
快速熱退火
熔爐退火
熱氧化
化學氣相沉積(CVD)
原子層沉積(ALD)
物理氣相沉積(PVD)
分子束外延(MBE)
鐳射解除(用於LED生產[32])。
電化學沉積(ECD)。 見電鍍
化學-機械拋光(CMP)
晶片測試(使用自動測試設備對電氣性能進行驗證,在這一步驟中還可能進行分片和/或鐳射修剪)
模具準備
矽通孔製造(用於三維積體電路)
晶圓安裝(使用切割膠帶將晶圓安裝在金屬框架上)。
晶圓回磨和拋光[33](對於像智慧卡或PCMCIA卡這樣的薄型設備或晶圓鍵合和堆疊,減少晶圓的厚度,這也可能發生在晶圓切割過程中,稱為先切割後研磨或DBG[34][35])。
晶片粘接和堆疊(對於三維積體電路和MEMS)。
再分配層的製造(對於WLCSP封裝)。
晶圓凸起(對於倒裝晶元BGA(球柵陣列)和WLCSP封裝)。
晶片切割或晶圓切割
IC封裝
晶片附著(使用導電膏或晶元附著膜將晶片附著在引線框架上[36][37])
IC粘接。 電線鍵合、熱聲鍵合、倒裝晶元或膠帶自動鍵合(TAB)。
IC封裝或整合散熱器(IHS)安裝
模塑(使用特殊的模塑化合物,可能含有玻璃粉作為填充物)
烘烤
電鍍(在引線框架的銅
引線上鍍上錫,使焊接更容易)。
鐳射打標或絲網印刷
修剪和成型(將引線框架相互分離,並彎曲引線框架的引腳,以便將其安裝在印刷電路板上)。
IC測試
此外,還可以進行諸如賴特蝕刻等步驟。